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三极管的组成、作用、工作原理和检测方法：(1)组成；三极管由两个PN结组成，有发射区、基区和集电区。发射区和基区交界面形成的PN结叫发射结，基区和集电区交界面形成的PN结叫集电结。由三个区各自引出一个电极，分别称为发射极e、基极b和集电极c。三极管可分为PNP型和NPN型。(2)作用三极管的基本特性是电流放大作用。(3)工作原理；极管满足6：A／（：/AlrB的关系，即当基极电流有一个微小变量AIB时，将引起集电极电流有一个较大的变量A/c：。就某个三极管而言，A／1：／AIB有着固定的倍数关系，，p》i，通常为几十至几百，也就是集电极申：流为基极电流的几十至几百倍。所以，当基极电流有个很小的变化，能引起集电极电流较大的变化，将AJC看做放大的AIB，这就是三极管的电流放大作用。称为电流放大系数，它是衡量三极管电流放大能力强弱的标志。只有当加在发射结的正偏电压大于死区电压时，三极管才会出现基极电流。硅三极管的拿死区电压值约为0.5V，锗三极管的死区电压值约为0.2V。三极管开始导通时，基极电流增加缓慢。但电压UBE稍微上升一点，基极电流增加很快。三极管处于正常放大时，发射结电压UBE；变化不大，硅管约为0.7V，锗管约为0.3V。三极管分三种工作状态：截止、放大、饱和。①截止区。电路特点是/B=O，/C=O，三极管截止。电路工作条件是发射结反偏，集电结反偏。甲放大区。电路特点是A／1：：=pAIB，三极管C受B控制。三极管具有电流放大作用，电珞工作条件是发射结正偏（URF >截止区电压值），集电结反偏。③饱和区。电路特点是A/c≠A／，／一对／r失去控制能力。饱和时UCE很低，称为饱和压降，用UBES表示。硅管UBES约为0.3V，锗管UBES约为0.1V。电路工作条件是发射结正偏，集电结正偏。